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MOS

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无锡新洁能股份有限公司 一、公司历史 全球首家8”5层光刻板制备沟槽MOS;全球首家在12”同时量产沟槽、SGT、SJ、IGBT产品 全球首款1.2kV150A IGBT单管;光储国产IGBT单管市占率第一 国内首家量产SJ MOS;国内首家量产SGT MOS;国内首家12” 月产超1万片 国内首家量产8”IGBT;;国内首家量产900V SJ MOS;国内首家量产P型SGT MOS 国内首家量产650V 高频FS-IGBT;国内首家量产TOLL大功率MOS;累积产出超200万片 二、公司概况 ①公司人数340人,其中35%研发,33%制造
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无锡新洁能股份有限公司一、公司历史

全球首家8”5层光刻板制备沟槽MOS;全球首家在12”同时量产沟槽、SGT、SJ、IGBT产品全球首款1.2kV150A IGBT单管;光储国产IGBT单管市占率第一

国内首家量产SJ MOS;国内首家量产SGT MOS;国内首家12” 月产超1万片国内首家量产8”IGBT;;国内首家量产900V SJ MOS;国内首家量产P型SGT MOS

国内首家量产650V 高频FS-IGBT;国内首家量产TOLL大功率MOS;累积产出超200万片

二、公司概况①公司人数340人,其中35%研发,33%制造。

②省研究中心:江苏省功率器件研究中心、NCE东南大学、NCE江南大学、省研究生工作站③179项专利:发明专利60项、美国专利1项、集成电路布局24项、软件著作1项

④四大销售中心:无锡销售中心、深圳分公司、宁波分公司、香港子公司⑤2000+产品:MOSFET、IGBT器件及模块、栅极驱动IC、SiC/GaN器件等

三、销售额与市场分布

①2022年IGBT销售额同比增长400%、2022年汽车电子销售额同比增长超700%、2016-2021年中国功率半导体十强企业、2021年国内MOSFET市场份额占比排名第五②光伏逆变与储能市场,国产IGBT器件第一品牌

③2022年销售分布占比:工业及自动化(27%)、光伏储能(25%)、消费电子(15%)、汽车电子(14%)、5G安防及数据中心(13%)、智能短交通(6%)

四、公司概况1、芯片代工:华虹宏力 战略合作伙伴 “芯路十三载,风雨同行”

①唯一四个代工厂,同时量产②新产品开发成功率最高的客户(83%),华虹其他客户(30~50%)

③市场淡季时,支持华虹填产能;旺季时,华虹优先保证公司产能

2、产业链合作①封装测试:捷敏、长电科技、日月光等10余家封装合作伙伴,覆盖47种封装外形

3、研发能力 ①设计实验室:版图(器件、电路、封装)与仿真(工艺与结构、电学、热力学、电磁学、机械应力学)②测试实验室:规格书所有动静态测试参数

③应用分析实验室:电机驱动、电源、光伏与储能、锂电保护等④可靠性与失效分析:AEC-Q101,无损分析,破坏性实验分析

五、产品系列(总计2000+产品)

①Trench MOS——NMOS、PMOS(0.22A~350A)②SGT MOS——NMOS、PMOS(5A~400A)

③功率集成器件——N+N、N+P、半桥、全桥④SJ MOS(1.8A~100A)

⑤功率集成模块(PIM):650V~1700V/15A~600A⑥SiC MOS(650V~1200V/40A~100A)

⑦IGBT(7A~200A)

六、NCE超结MOSFET产品开发路线①Gen.1

量产时间:2010年技术特点:650V Pitch 16um、平面栅结构

产品电压:500V/600V/650V650V特征导通电阻:3.20 Ω.mm2

产品系列:常规系列②Gen.2

量产时间:2013年技术特点:650V Pitch 14um、平面栅结构

产品电压:650V/700V、800V/900V650V特征导通电阻:2.65 Ω.mm2

产品系列:常规系列③Gen.3

量产时间:2016年技术特点:650V Pitch 11um、沟槽栅结构

产品电压:650V/700V、800V650V特征导通电阻:1.90 Ω.mm2

产品系列:常规系列、快恢复体二极管系列④Gen.4

量产时间:2021年技术特点:650V Pitch 9um、电荷补偿设计、开关特性优化设计

产品电压:500V/600V、650V/700V、800V/900V/1050V650V特征导通电阻:1.40 Ω.mm2

产品系列:常规系列、快恢复体二极管系列

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